Ti-Sb-Te Phase Change Materials: Component Optimisation, Mechanism and Applications [electronic resource] / by Min Zhu.

За: Інтелектуальна відповідальність: Вид матеріалу: Текст Серія: Springer Theses, Recognizing Outstanding Ph.D. ResearchПублікація: Singapore : Springer Singapore : Imprint: Springer, 2017Видання: 1st ed. 2017Опис: XVI, 124 p. 83 illus. online resourceТип вмісту:
  • text
Тип засобу:
  • computer
Тип носія:
  • online resource
ISBN:
  • 9789811043826
Тематика(и): Додаткові фізичні формати: Printed edition:: Немає назви; Printed edition:: Немає назви; Printed edition:: Немає назвиДесяткова класифікація Дьюї:
  • 537.622 23
Класифікація Бібліотеки Конгресу:
  • QC610.9-611.8
Електронне місцезнаходження та доступ:
Вміст:
Acknowledge -- Abstract -- Introduction -- Component Optimization of Sb-Te in Ti-Sb-Te Phase Change Materials -- Component Optimization of Ti in Ti-Sb2Te3 Phase Change Materials -- Optimization Component Ti0.43Sb2Te3 -- Influence of Temperature on Performance of Ti0.43Sb2Te3 Based Device -- Phase Change Mechanism of Ti0.43Sb2Te3 Alloy -- Ti0.43Sb2Te3 Based Phase Change Memory Chip -- Summary -- References -- Published Papers and Patents -- Bibliography.
У: Springer eBooksЗведення: This book introduces a novel Ti-Sb-Te alloy for high-speed and low-power phase-change memory applications, which demonstrates a phase-change mechanism that differs significantly from that of conventional Ge2Sb2Te5 and yields favorable overall performance. Systematic methods, combined with better material characteristics, are used to optimize the material components and device performance. Subsequently, a phase-change memory chip based on the optimized component is successfully fabricated using 40-nm complementary metal-oxide semiconductor technology, which offers a number of advantages in many embedded applications.
Тип одиниці: ЕКнига Списки з цим бібзаписом: Springer Ebooks (till 2020 - Open Access)+(2017 Network Access)) | Springer Ebooks (2017 Network Access))
Мітки з цієї бібліотеки: Немає міток з цієї бібліотеки для цієї назви. Ввійдіть, щоб додавати мітки.
Оцінки зірочками
    Середня оцінка: 0.0 (0 голос.)
Немає реальних примірників для цього запису

Acknowledge -- Abstract -- Introduction -- Component Optimization of Sb-Te in Ti-Sb-Te Phase Change Materials -- Component Optimization of Ti in Ti-Sb2Te3 Phase Change Materials -- Optimization Component Ti0.43Sb2Te3 -- Influence of Temperature on Performance of Ti0.43Sb2Te3 Based Device -- Phase Change Mechanism of Ti0.43Sb2Te3 Alloy -- Ti0.43Sb2Te3 Based Phase Change Memory Chip -- Summary -- References -- Published Papers and Patents -- Bibliography.

This book introduces a novel Ti-Sb-Te alloy for high-speed and low-power phase-change memory applications, which demonstrates a phase-change mechanism that differs significantly from that of conventional Ge2Sb2Te5 and yields favorable overall performance. Systematic methods, combined with better material characteristics, are used to optimize the material components and device performance. Subsequently, a phase-change memory chip based on the optimized component is successfully fabricated using 40-nm complementary metal-oxide semiconductor technology, which offers a number of advantages in many embedded applications.

Available to subscribing member institutions only. Доступно лише організаціям членам підписки.

Online access from local network of NaUOA.

Online access with authorization at https://link.springer.com/

Онлайн-доступ з локальної мережі НаУОА.

Онлайн доступ з авторизацією на https://link.springer.com/

Немає коментарів для цієї одиниці.

для можливості публікувати коментарі.